Hi Jürgen,
das geht aber ganz schön durcheinander.
Das kann so nicht stehenbleiben.
Fang mer mal von hinten an:
<blockquote id="quote"><font size="1" face="Verdana, Arial, Helvetica" id="quote">Zitat:<hr height="1" noshade id="quote">Die pro Photon gebildete Anzahl von Elektronen nennt man auch Konversionsfaktor<hr height="1" noshade id="quote"></blockquote id="quote"></font id="quote">
Nein, das nennt man Quanteneffizienz!
Der Konversionsfaktor gibt an, wieviel ADU pro Elektron gebildet werden,
und umfasst also die ganze Schaltungskette vom Ausleseverstärker
des CCD- oder CMOS-Chips, über den Zwischenverstärker bis zum A/D-Wandler.
<blockquote id="quote"><font size="1" face="Verdana, Arial, Helvetica" id="quote">Zitat:<hr height="1" noshade id="quote">Beim CMOS ist die Verstaerkung im Pixel eingebaut und laesst sich nicht umgehen.
Das ist der prinzipielle Unterschied zum CCD.<hr height="1" noshade id="quote"></blockquote id="quote"></font id="quote">
Verstärkt wird überall, im CMOS und im CCD.
Die von den Pixeln gelieferten Ladungen müssen zur Weiterverarbeitung
ja erstmal in eine Spannung umgewandelt werden.
Dies übernimmt der Ausleseverstärker, der dementsprechend als
sog. Ladungsempfindlicher Verstärker ausgeführt ist.
Nur hat der CCD einen für alle Pixel, und beim CMOS hat jeder Pixel seinen eigenen.
Da natürlich keine zwei Verstärker exakt identisch sind,
ist dies eine Quelle zusätzlichen Rauschens bei CMOS-Chips (FPN, Fixed Pattern Noise).
Andererseits haben die separaten Ausleseverstärker den Vorteil,
dass auf jedes Pixel direkt zugegriffen werden kann.
<blockquote id="quote"><font size="1" face="Verdana, Arial, Helvetica" id="quote">Zitat:<hr height="1" noshade id="quote">Das Ausleserauschen entsteht, wenn die Ladung beim Auslesen von Pixel zu Pixel geschoben wird.<hr height="1" noshade id="quote"></blockquote id="quote"></font id="quote">
Nein, das Ausleserauschen entsteht im Ausleseverstärker.
Sowohl beim CCD, als auch beim CMOS.
Das Verschieben der Ladungen erfolgt äusserst effektiv,
und trägt deshalb nicht zum Rauschen bei.
Das läuft unter dem Namen Transfer Efficiency,
und erreicht Werte von besser als 0,99999.
Also, nur ein Elektron von 100000 ginge bei dem genannten Wert verloren.
<blockquote id="quote"><font size="1" face="Verdana, Arial, Helvetica" id="quote">Zitat:<hr height="1" noshade id="quote">Demnach ist das spaetere Konvertieren des Bildes beim CMOS mit einem On-Chip-Binning vergleichbar, beim CCD dagegen nicht.
<hr height="1" noshade id="quote"></blockquote id="quote"></font id="quote">
Beim CCD ist echtes On-Chip-Binning möglich (mit den von Dir schon beschriebenen Vorteilen),
beim CMOS eben nicht.
Gruss,
Thomas
